Инженеры сумели вырастить монолитные кристаллы с рекордной низкой толщиной.
Их толщина составила один атом.
Подробности исследования появились в журнале Nature.
Новую технологию разработали инженеры из Массачусетского технологического института.
Они сумели создавать идеальные полупроводниковые кристаллы, толщина которых равняется одному атому.
Это стало возможно благодаря методу осаждения из газовой фазы.
В этот момент атомы оседают на пластине кремния и трансформируются в двумерные структуры.
Обычно, при выращивании кристаллов таким способом, ядра растут в разных направлениях. Но с помощью специальной «маски» удалось этого избежать.
Такая структура кристаллов не содержит препятствий, которые ограничивали бы движение электронов.
Использование новой технологии позволит создавать удивительные новые транзисторы, которые смогут помочь разрабатывать новые электронные устройства.